| 20 MHz~520 MHz宽带功率放大器的研制 | |
| 所属分类:技术论文 | |
| 上传者:aetmagazine | |
| 文档大小:588 K | |
| 标签: GaN 宽带功放 负反馈 | |
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| 文档介绍:新一代半导体材料GaN相比于Si、GaAs等材料,具有禁带宽、击穿场强高、热稳定性优异等特性,在宽带功放的设计中被广泛使用。基于CREE公司的两款GaN功率芯片进行级联,匹配电路为集中元件和分布元件混合,采用负反馈技术提高带宽,RC并联网络提高稳定性,设计了一款20 MHz~520 MHz的宽带功放。利用ADS软件对芯片模型和匹配电路进行优化仿真和实际调试,在20 MHz~520 MHz频段内,功放模块饱和输出功率大于9 W,增益大于29.5 dB,漏极效率高于40%,带内平坦度为±0.7 dB。 | |
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