国家标准委网站显示，我国首个EUV光刻胶标准——《极紫外（EUV）光刻胶测试方法》作为拟立项标准，10月23日开始公示，截止时间为11月22日。标准的起草单位包括上海大学、张江国家实验室、上海华力集成电路制造有限公司、上海微电子装备（集团）股份有限公司。
作为我国首个EUV光刻胶标准，具有重要的现实意义。该标准的制定不仅能够填补国内在该领域的技术标准空白，更将通过建立统一的测试方法体系，为国内外EUV光刻胶的性能评价提供客观标尺。
具体而言，标准实施后将实现三大目标：一是推动测试数据互认，降低晶圆厂对国产材料的导入风险；二是促进测试设备国产化替代，有效压缩研发成本；三是加速实现从“进口依赖”到“自主可控”的产业跃迁。
该标准的制定为我国EUV光刻胶关键核心技术的突破提供标准化支撑，推动国内高端光刻胶产业实现高质量可持续发展，提升我国在全球半导体材料领域的话语权和竞争力。
国产化率为0
EUV光刻胶是极紫外光刻的关键材料，工作波长为13.5nm，主要应用于7nm及以下制程的集成电路制造，是实现先进逻辑芯片、高端存储芯片等微小化、高性能芯片生产的不可或缺的材料。
当前，随着全球半导体产业向先进制程加速演进，EUV光刻技术已成为7 nm及以下节点的唯一量产方案。但是，EUV光刻胶完全被国外先进半导体材料公司所垄断（JSR、东京应化等占据超过95%全球市场份额），国产化率为零，国内的研发也仍处于起步阶段，亟需突破材料自主化与标准化壁垒。
目前，国内在EUV光刻胶测试领域尚未建立统一的技术规范，现有测试方法多沿用国外企业标准，导致在灵敏度（E0）、线边缘粗糙度（LER）等核心性能指标的检测流程上缺乏标准化，这不仅使得国产材料的验证周期长达1~2年，更严重制约了我国光刻胶产业的自主创新发展。
标准的统一可明确光刻胶各项性能的最低要求和测试方法，确保不同批次、不同供应商的光刻胶能稳定适配EUV光刻机，避免因材料波动导致芯片图案缺陷。同时，减少芯片制造企业的适配测试成本，降低因材料不兼容引发的生产中断风险，提升先进制程芯片的良品率。
技术不断突破
作为半导体制造的关键材料，光刻胶国产化受到政策的高度重视，《“十四五”原材料工业发展规划》将光刻胶列入新材料突破重点品种。
近期，EUV光刻胶基础研究不断取得突破，北京大学、南开大学、华东理工大学、清华大学均有相关研究成果出炉。
据科技日报报道，近日，北京大学化学与分子工程学院彭海琳教授团队及合作者通过冷冻电子断层扫描技术，首次在原位状态下解析了光刻胶分子在液相环境中的微观三维结构、界面分布与缠结行为，指导开发出可显著减少光刻缺陷的产业化方案。
10月16日，南开大学现代光学研究所发布消息，其研究团队在氧化钛团簇光刻材料领域取得重要进展，成功实现原本光刻惰性的钛氧簇表现出纳米图案化应用，并最终制备出12.9纳米高分辨负性光刻图案，为继续发展钛氧簇基EUV光刻胶奠定基础。
9月19日，华东理工大学发布消息称，该校先进光刻胶薄膜沉积制备研究获进展，提出了一种间歇性旋涂化学液相沉积制备非晶态沸石咪唑酯骨架（aZIF）薄膜的方法，实现了薄膜沉积速率和厚度的可控，并进行了电子束光刻和超越极紫外光刻验证。
7月28日，清华大学发布消息">称，该校化学系许华平教授团队在极紫外（EUV）光刻材料上取得重要进展，开发出一种基于聚碲氧烷的新型光刻胶，为先进半导体制造中的关键材料提供了新的设计策略。
