10 月 22 日消息，科技媒体 Wccftech 昨日（10 月 21 日）发布博文，报道称在 SK 海力士第二代 3Gb DDR5 内存芯片曝光，推测其原生 JEDEC 速度可能高达 7200 MT/s。
援引博文介绍，十铨（Team Group）的 Kevin Wu 在 Facebook 群组 Clock'EM UP 上发布了一款芯片，其颗粒上带有“X021”标记和“AKBD”部件代码。
@unikoshardware 分析认为，“X021”标签表明这是第二代 3Gb A-Die 颗粒，将用于接替当前主流 DDR5 内存模块所使用的 3Gb M-Die 颗粒。
按照 SK 海力士以往的命名规律，字母对“EB”、“GB”和“HB”分别对应 4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 的原生 JEDEC 速度。因此，新出现的“KB”代号很可能延续了这一模式，指向 7200 MT/s 的原生速度。
该媒体还指出这一规格的提升与英特尔未来的平台路线图高度吻合。根据英特尔的规划文件，其 Arrow Lake Refresh 和 Panther Lake 处理器预计将原生支持 7200 MT/s 的 DDR5 速度，相比于 Raptor Lake 的 5600 MT/s 和 Arrow Lake 的 6400 MT/s 有显著提升。
有用户指出，此次曝光的内存样品使用的是 8 层 PCB（印刷电路板），这可能会成为性能瓶颈。尽管搭载了最新的 A-Die 颗粒，但 8 层 PCB 在处理超过 8000 MT/s 的高速信号时，其信号完整性和供电能力会面临挑战，难以保持稳定。因此，限制最终性能的可能不是芯片本身，而是电路板的设计。
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