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联发科首款台积电2nm旗舰SoC完成流片

2025-09-16
来源:网易科技
关键词: 联发科 2nm 台积电 SOC

9月16日消息,联发科今天在官网发文宣布,首款采用台积电2纳米制程的旗舰系统单芯片(SoC)已成功完成设计流片(Tape out),成为全球首批2nm芯片之一,预计明年底进入量产并上市。

虽然官方并没有公布具体产品,但是从产品规划上来看已经很明显了,这无疑就是下一代的天玑9系旗舰——天玑9600。

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据介绍,台积电的2 nm制程技术首次采用能够带来更优异的性能、功耗与良率的纳米片(Nanosheet)电晶体结构。

台积电的增强版2 nm制程技术与现有的N3E制程相比,逻辑密度增加1.2倍,在相同功耗下性能提升高达18%,并能在相同速度下功耗减少约36%。

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联发科表示与台积电一直以来持续在旗舰移动平台、运算、车用、数据中心等应用领域,共同打造兼具高性能与高能效的芯片组,而此次合作更象征着MediaTek与台积公司坚实伙伴关系的全新里程碑。


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