10月29日，澜起科技宣布DDR5第一子代内存接口及(ji)模组配套芯片已成(cheng)功实现量产。
据介绍，该系列芯片是DDR5内(nei)存(cun)模组的重要组件，包括寄(ji)存(cun)时钟(zhong)驱动器 (RCD)、数据缓冲器(DB)、串行检测集线器 (SPD Hub)、温度传感器 (TS) 和电源管理(li)芯片 (PMIC)，可(ke)为DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等内(nei)存(cun)模组提(ti)供整(zheng)体解决(jue)方案(an)。
澜(lan)起科(ke)技(ji)表示(shi)，这次推出(chu)的(de)DDR5第一子代内存(cun)(cun)接(jie)口芯片(pian)RCD/DB，支(zhi)持(chi)的(de)最(zui)高速(su)率(lv)(lv)达4800Mbps，是 DDR4最(zui)高速(su)率(lv)(lv)的(de)1.5倍；接(jie)口电(dian)压(ya)低至(zhi)1.1V，能(neng)耗(hao)更低；采用创新的(de)信(xin)号校准协议及均衡技(ji)术，大(da)幅提高了内存(cun)(cun)信(xin)号完整性。
据悉，与DDR4内(nei)存(cun)(cun)模(mo)组(zu)(zu)相比，DDR5内(nei)存(cun)(cun)模(mo)组(zu)(zu)在架构上进行了革新，除配(pei)置内(nei)存(cun)(cun)颗粒和内(nei)存(cun)(cun)接口芯片之外，还需要搭配(pei)其它专用配(pei)套芯片。澜起科技(ji)首(shou)次推出的(de)DDR5 PMIC、TS 及(ji)SPD Hub这三(san)款配(pei)套芯片，可(ke)为DDR5内(nei)存(cun)(cun)模(mo)组(zu)(zu)提(ti)供(gong)多通道电源及(ji)管理、多点(dian)温(wen)度(du)检测(ce)、I3C串(chuan)行总线(xian)及(ji)路由等(deng)辅助功能(neng)。
