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基于SiC IPD技术的小型化大功率Gysel功分器设计

功分器作为射频前端重要的无源器件，不断朝着小型化、大功率方向发展。为此，提出一种基于SiC IPD技术的新型Gysel功分器，采用π形和Bridged T-coil等效电路将分布式电路转换成集总式拓扑，实现功分器的小型化设计。通过奇偶模分析方法给出集总等效电路的理论推导，并进行HFSS全波仿真。集总电感和电容采用半导体工艺制造，加工精度高，感值容值精准，器件性能稳定。此外，基板采用具有良好的散热能力的SiC材料，有利于提升器件的功率容量。测试结果表明，功分器在6.3~7.7 GHz范围内回波损耗大于10 dB，插损小于0.9 dB，端口隔离度在5~9 GHz范围内大于15 dB，电波长尺寸为0.10×0.05（λg×λg@f0），具有较高的工程应用价值。

发表于：9/16/2025

设计参数对射频SOI开关功率承受能力影响研究

通过比较分析研究射频开关管宽度与堆叠级数变化和栅极与体区偏置电阻对射频开关性能的影响，主要包括前两级射频开关管宽度、不同级数射频开关管宽度、逐步变化射频开关管宽度和偏置电阻等设计参数，对射频开关插入损耗、隔离度和功率承受能力的影响。研究结果为射频开关电路设计提供参考。

发表于：9/16/2025

中兴通讯联合南非MTN实现全球首个5频RRU商用部署

近日，中兴通讯与南非MTN在西开普省达成里程碑式合作 —— 联合实现全球首个5频RRU的商用部署。这一成果不仅引领全球射频技术进入新发展阶段，更为非洲通信行业的技术升级注入强劲动力。南非是非洲最大最先进的通信市场之一，南非MTN在全国范围内实现超过97%的LTE人口覆盖，为超过6000万人口提供高质量的通信服务，体现了其将高质量通信服务延伸至偏远地区的长期承诺。

发表于：9/3/2025

成都华微发布4通道12位40G高速高精度射频直采ADC芯片

9月1日晚间，成都华微电子科技股份有限公司（以下简称“成都华微”）发布公告称，公司研发的4 通道12位40G 高速高精度射频直采 ADC（模数转换器）于近日成功发布。

发表于：9/2/2025

一种TR组件多路隔离电源加电顺序控制电路

相控阵雷达天线中的TR组件的多路直流电源需具备严格的加电顺序，用以防止闩锁效应，避免逻辑电路未初始化时高压误触发。针对TR组件中常用+28 V、+5 V、-5 V三种独立不共地电源上电顺序的工程需求，提出了一种基于三端稳压器TL431和光耦隔离的分级控制电路。通过光耦实现非共地电源间的电气隔离，结合TL431的门限保护电路，精确控制各电压的加电时序；并具备低成本、易扩展的优势，是解决多路独立电源供电设备加电顺序的有效途径，为工业设备的多电压供电设计提供了可靠参考。

发表于：8/14/2025

W波段高集成多通道多功能封装模块研究

针对W波段射频前端需求，设计了一组基于陶瓷封装工艺的W波段四通道上变频发射和下变频接收模块。该对模组均采用一次变频架构，上变频发射模块将78~80 GHz的信号经混频、放大、滤波传输后，传输到天线端口实现上变频至92~94 GHz频段；下变频接收模块将92~94 GHz频段信号经过低噪声放大、混频、滤波传输后，进入后端实现下变频至78~80 GHz。该前端本振信号为X波段，实现功率分配和信号放大功能，为多通道提供中频信号。为提高模块射频性能和可靠性和降低成本，设计了一种基于封装上装载技术（LOP）的滤波传输结构。模块实物测试结果表明：研发的W波段上变频发射模块在工作频带（92~94 GHz）内输出功率均大于12 dBm，输出功率增益大于6 dB；W波段下变频前端各通道在工作频带内的噪声小于9dB，增益大于10 dB。

发表于：8/14/2025

一种K波段变频组件设计

设计了一种K波段变频组件，该组件含上、下变频通道，实现K波段射频信号与中频信号间的变频转换。通过进行全链路级联仿真分析与计算，优化了链路的频点规划，合理规避了带内杂散；通过进行三维电磁场仿真，优化了链路的传输互联结构，改善了级间匹配特性。测试结果表明该组件具有杂散抑制度高、带内增益波动小等特点，杂散抑制优于60 dBc，带内波动优于±1 dB，镜频抑制优于50 dBc，其他各项指标均满足设计要求。该设计方法也对变频组件的设计进行了有益探索。

发表于：8/14/2025

X波段60 W高功率高效率功率放大器设计

基于0.25 μm栅长的GaN HEMT工艺，设计了一款8~12 GHz 60 W高功率放大器。该芯片的末级输出端功率合成网络在Bus-bar总线型的基础上添加并联LC到地枝节，达到优化各路平衡度的目的，在实现高功率输出的同时使芯片整体结构紧凑且易于匹配。采用输入端二次谐波阻抗匹配技术，在不影响输出功率的前提下提升高频效率。输出级匹配结构采用两段串电感并电容匹配的方式，将输出级阻抗匹配至目标阻抗的同时实现较低的匹配损耗。在脉宽100 μs、占空比10%测试条件下，该放大器饱和输出功率在8~12 GHz范围内大于48 dBm，效率大于35%，功率增益为23 dB。芯片尺寸为3.97 mm×5 mm。

发表于：8/14/2025

2030年射频前端市场将达697亿美元

据Yole Group报告显示，全球射频半导体市场正面临战略转折点，预计将从2024年的513亿美元增长至2030年的697亿美元，5G持续渗透、6G研发加速、汽车雷达与国防电子战的爆发，将成为三大核心驱动力，汽车、国防、工业等将成为射频应用的“新蓝海”。

发表于：7/28/2025

基于双射频芯片级联的雷视一体系统设计实现

在智能交通系统（Intelligent Transports System，ITS）领域，相较于单雷达和卡口相机的组合，雷视一体机有着成本低和数据融合的优点。基于射频芯片级联技术，对毫米波雷达性能进行提升，并采用专业级的安防芯片，通过多传感器融合，设计了一款具有远距离探测功能的雷视一体机系统。算法方面采用多传感器融合算法，通过更换主干特征提取网络和损失函数对目标检测算法YOLOv8n进行改进，改进后参数量减少24%，模型大小减小22%。通过交通实地场景测试，验证了雷视一体机系统的可靠性，最终实现交通路口场景的全方位监测，且最远探测距离可以达到350 m，探测精度可达97%以上，符合远距交通雷视一体机的设计要求。

发表于：7/24/2025

电容网络对射频SOI开关功率承受能力影响研究

通过比较分析研究电容网络对射频SOI开关功率承受能力的影响，主要包括射频开关晶体管源极与漏极之间的横向耦合电容Cdsn和射频开关源极与漏极节点到GND的纵向耦合电容Cgndn。研究内容包括射频开关堆叠结构Cdsn/Cgndn逐步变化，前两级Cdsn/Cgndn电容值大小，前N级Cdsn/Cgndn电容网络对射频开关插入损耗、隔离度和功率承受能力的影响，研究结果为射频开关电路设计提供参考。

发表于：7/24/2025

V频段H面膜片带通滤波器设计

为满足上变频器对低插入损耗、高抑制度滤波器的需要，设计并制作了一种V频段H面膜片带通滤波器，该滤波器由六个矩形谐振腔串联组成。六个谐振腔和七个耦合窗的尺寸初值通过理论计算得到，采用三维电磁场仿真软件HFSS对滤波器进行了结构建模和优化仿真。制作了滤波器样品并进行了测试，测试结果表明在47.2~50.2 GHz带内插入损耗小于0.6 dB，回波损耗优于15.6 dB，对42.6 GHz频点的抑制度为73.8 dBc，对54.8 GHz频点的抑制度为52.8 dBc，测试结果与软件仿真结果基本一致。

发表于：7/22/2025

Ku频段小型化气密型功放组件研究

阐述了一种Ku频段小型化气密型性功放组件的工程实现方案。此组件采用4片GaN功率芯片与1片GaAs驱动芯片级联工作，并通过波导功分与合成网络的结合，实现了高效的功率合成。为确保组件在盐雾和低气压等环境下的稳定运行，采用了同轴探针式波导气密封电路与射频腔体激光封焊技术，对整个功放模块的射频电路进行了全面的气密封装，有效抵御盐雾和低气压等外界因素对组件可靠性的潜在威胁。最终，该功放组件在13~15 GHz的连续波工作频带内，实现了大于120 W的饱和输出功率。该组件的技术状态稳定，可靠性与实用性均达到了工程使用要求，适用于测控、通信、电子对抗等领域中的微波发射系统，展现出卓越的应用前景与市场价值。

发表于：7/22/2025

基于基片集成波导圆极化天线微波毫米波天线

设计了一款Ka波段高增益基片集成波导圆极化天线，采用四脊波导作为圆极化辐射器。为验证设计，研制了4×4圆极化阵列天线，该天线采用三层介质基板结构：顶层为4×4四脊波导圆极化辐射器，中层为4×4背腔辐射缝隙单元天线（工作模式为TE110模），底层为T形基片集成波导一分八功分器。测试结果表明，该阵列天线S11<-10 dB的范围为35.3~35.55 GHz，3 dB轴比带宽为35.24~35.57 GHz，最大增益为18.14 dBi（35.42 GHz）。该设计创新性地采用四脊波导实现圆极化辐射，具有高口径效率和紧凑结构，适用于微波毫米波系统。

发表于：7/22/2025

超宽带大瞬时带宽可调中频接收机前端技术研究

为满足对复杂电磁环境的测试和接收机超宽带、大瞬时带宽、小型化、可调等发展需求，基于二级混频的超外差变频技术和多路开关滤波器组，设计了一款具有1.5 GHz~18 GHz超宽带射频信号接收、1 GHz大瞬时带宽、大动态范围和超低接收灵敏度的接收机射频前端模块，且该模块还具有输出中频频率和带宽可选的功能。通过测试对该模块进行了验证，结果符合设计要求。

发表于：7/22/2025

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