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忆阻器最早由阻变存储器，即RRAM实验验证，因此经常以RRAM作为忆阻器的代表。

当然，严格来说，根据材料和物理机制，忆阻器件可分为阻变存储器（Resistive Random-Access Memory, 简称RRAM或ReRAM)，相变存储器（PCRAM），磁随机存储器（MRAM）和铁电随机存储器（FeRAM）等不同种类。此外还有光电忆阻器、有机材料忆阻器、流体忆阻器等。

忆阻器件有两个典型的阻值状态,分别是高阻态(HRS)和低阻态(LRS),高阻态具有很高的阻值,通常为几kΩ到几MΩ,低阻态具有较低的阻值,通常为几百Ω。初始情况下,即没有经过任何电激励操作时,忆阻器件呈高阻态,并且在电激励下它的阻态会在两个阻态之间进行切换。忆阻器从高阻到低阻状态的转变为置位(SET)过程,从低阻到高阻状态的转变为复位(RESET)过程。当SET过程和RESET过程所施加电压极性相同时,称之为单极性阻变行为,电压极性不同时,称之为双极性阻变行为。