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三星闪存芯片首次进入3D晶体管时代
发表于：10/24/2025 10:13:39 AM
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三星宣布计划将FinFET制程导入NAND Flash
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联电称与英特尔合作开发的12nm FinFET制程技术明年通过验证
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台积电欧洲首座晶圆厂将在德国动工
发表于：8/19/2024 9:21:17 AM
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Agile Analog宣布已成功在格芯两大工艺上提供可定制的模拟IP
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Dolphin Design宣布首款支持12纳米FinFet技术的硅片成功流片
发表于：2/22/2024 8:49:00 PM
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新思科技携手是德科技、Ansys推出先进 N4P工艺全新参考流程
发表于：10/30/2023 4:22:55 PM
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10Gbps！全球最强LPDDR5/5X IP成功量产
发表于：6/23/2022 9:36:23 PM
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5nm及更先进节点上FinFET的未来：使用工艺和电路仿真来预测下一代半导体的性能
发表于：5/5/2022 11:03:00 PM
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Arasan宣布为格芯12nm FinFET工艺节点提供MIPI D-PHY(SM) IP
发表于：3/9/2022 8:17:21 PM
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英特尔展示多项技术突破，推动摩尔定律超越2025
发表于：12/13/2021 9:27:52 PM
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三星推新工艺，将FinFET带到28nm，首攻CIS堆叠？
发表于：10/8/2021 9:47:21 AM
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Nerissa Draeger博士：全包围栅极结构将取代FinFET
发表于：1/25/2021 8:33:00 PM
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FinFET器件结构发展综述
发表于：1/14/2021 9:23:00 AM
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台积电3纳米今年试产！与5nm、7nm 100% IP 兼容！
发表于：1/7/2021 12:43:17 PM
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IP全国产迈出关键一步，TSMC FinFET N+1芯片问市
发表于：10/12/2020 10:49:24 PM
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台积电2nm工艺获重大突破！
发表于：9/23/2020 3:14:23 PM
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FinFET寿终正寝！台积电2nm GAA工艺结束路径探索阶段
发表于：9/23/2020 6:27:30 AM
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台积电的GAA-FET什么时候到来？
发表于：8/27/2020 1:24:15 PM
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中国台湾：台积电2nm大突破
发表于：7/14/2020 7:54:00 AM
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英特尔5nm制程电晶体面临瓶颈，或弃用 FinFET专用GAA环绕栅极电晶体？
发表于：3/16/2020 4:20:24 PM
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先不上GAA晶体管 台积电第一代3nm工艺将继续用FinFET技术
发表于：3/8/2020 6:00:00 AM
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英特尔原总裁推动力ARM架构服务器CPU，Ampere胜算几何
发表于：3/5/2020 8:56:19 PM
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格芯成功研发22FDX技术,能让英特尔、三星等行业巨头研究多年的eMRAM究竟有何魅力？
发表于：2/28/2020 7:04:09 PM
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3nm、5nm制程：复杂且昂贵的争夺战（一）
发表于：2/6/2020 4:49:22 PM
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中芯国际发布一季度财报 FinFET研发进展顺利
发表于：5/9/2019 2:46:24 PM
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英特尔3D封装技术深度解读
发表于：1/24/2019 8:22:24 PM
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格芯全资子公司Avera Semi正式成立
发表于：11/1/2018 9:32:22 AM
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台积电宣布其7纳米制程进入量产 并透露了5纳米节点的首个时间表
发表于：11/1/2018 2:17:42 AM
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